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パワー半導体
ソリューション一覧
産業機械、社会インフラ、再生可能エネルギー、家電製品、電動車（HEV/EV）など幅広い電力容量帯の用途に、
低損失で高効率の電力変換を実現するパワー半導体製品を幅広く提供してCO2削減に貢献しています。
小型RC-IGBT（注）モジュール（M682）
軽・小型の電気自動車(EV) やハイブリッド自動車(HEV) のモータ駆動用インバータ向けに、パワーモジュールを開発。富士電機独自技術であるRC-IGBT チップと、Cu ベースプレートを直接冷却する構造の採用、流路のリブ形状と配置の最適化により、小型化・低損失・低熱抵抗を実現しました。
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注
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Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor （逆導通 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
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SiCパワー半導体モジュール
従来のSi半導体に比べて低損失・高耐圧・高温動作可能な世界最高レベルのSiCチップを搭載したパワー半導体モジュール（定格3300V・1800A）を開発。鉄道車両の主変換装置※など大容量帯の用途において装置の小型軽量化と省エネに貢献しています。
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注
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架線からの単相交流を三相交流に変換し、モータを駆動し、新幹線を走行させるシステム
30％削減(注)
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注
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当社Si半導体モジュールとの比較
電力損失にかかわるCO2排出量
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第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュール
第7世代「X シリーズ」IGBT モジュールでは、製品のさらなる小型化、低損失化、高信頼性化を追求しました。チップの大幅な損失低減と、高放熱・高信頼性パッケージの開発により、電力変換装置の高効率化・小型化に貢献します。また、本シリーズは電流容量やパッケージ形状を幅広く系列化しており、産業用ロボットやエアコンのほか、太陽光発電（メガソーラー）など、さまざまな電力容量帯の用途に対応します。
10％削減（注）
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注
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当社従来比 電力損失にかかわるCO2排出量
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Small IPM
家電製品や小容量の産業用モータドライブ向けにSmall IPM（定格600V/650V・10 ～ 75A）を系列化しています。低損失IGBTと高速FWDで構成される三相インバータブリッジ回路と制御・保護機能を内蔵しインバータ機器の小型化・省エネに貢献しています。
10％削減（注）
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注
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当社従来比電力損失にかかわるCO2排出量
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